2016年12月,半導(dǎo)體分公司研制成功 1700V/1200A SiC JBS二極管混合IGBT模塊,成功的完成了SiC JBS二極管與Si IGBT的混封封裝。
SiC JBS二極管混合IGBT模塊相對于傳統(tǒng)IGBT模塊,具有模塊開通時電流過沖及電壓過沖小的特點,使得模塊的實際使用電流、電壓提高,對于同規(guī)格的變流柜,可減少IGBT模塊的數(shù)量,使得整體成本降低,同時,使得IGBT混合模塊可是實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率。
目前,僅有英飛凌、ABB、三菱、富士電機(jī)等少數(shù)幾家國際知名企業(yè)掌握有該產(chǎn)品的封裝設(shè)計制造技術(shù)。該產(chǎn)品的研制成功填補(bǔ)了我國在IGBT混合模塊領(lǐng)域的空白。