BaTiO3復合硅膠對 IGBT 模塊內(nèi)部電場分布的影響 王昭，劉曜寧 （中車永濟電機有限公司 半導體分公司，陜西 西安 710018） 摘要: 隨著 IGBT 高壓功率模塊的發(fā)展，模塊內(nèi)部電場絕緣問題也顯得越來越重要。功率模塊封裝中使用的硅 凝膠的電場承受能力直接影響了整個模塊的絕緣表現(xiàn)。目前已經(jīng)有學者研究了一系列方法來優(yōu)化電場表現(xiàn)，提高可 靠性。本文通過使用有限元分析方法，分析和確定模塊中最大電場存在的位置并提出相應的優(yōu)化解決方案。 關鍵詞: IGBT 模塊；硅膠；BaTiO3；有限元分析；電場模擬；局部放電 中圖分類號: TM215.92 文獻標識碼:A 文章編號: